RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2422
3332
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link