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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Note globale
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
65
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
65
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2422
1981
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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