RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de -14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2179
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link