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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
46
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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