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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
46
读取速度,GB/s
13.6
16.0
写入速度,GB/s
8.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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