RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3172
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link