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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
13.6
18.1
写入速度,GB/s
8.3
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3172
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
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