RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2111
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link