RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
64
Autour de 58% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
64
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2197
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link