RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de 61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
1866
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link