RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3632
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link