RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2113
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link