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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.9
13.9
写入速度,GB/s
9.0
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2113
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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