RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2848
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link