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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2848
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
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