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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2169
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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