RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2169
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link