RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2245
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link