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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
64
Autour de -178% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
3017
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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