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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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