RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2336
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link