RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2336
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link