RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2713
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link