RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2713
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link