RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2368
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link