Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.9 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 8.0

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 46
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 10.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 2368

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM