RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2910
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link