RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2394
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link