RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
77
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link