RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2904
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link