RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2064
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link