RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1875
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link