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PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1875
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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