RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2922
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link