RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
1890
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link