RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
56
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
56
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link