RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
56
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
56
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link