RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
56
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link