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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2103
2026
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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