RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
25
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
19
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
3359
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link