RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Comparez
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.7
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2504
2386
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link