RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
58
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3273
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link