RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3273
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link