RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3273
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link