RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
25.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
58
Autour de -314% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
14
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
25.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
19.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
4182
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link