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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
25.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
19.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
58
Intorno -314% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
14
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
25.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
19.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
4182
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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