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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
58
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,107.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2414
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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