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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2414
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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