RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
62
Autour de -226% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
19
Vitesse de lecture, GB/s
9.5
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2020
3435
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link