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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2301
2762
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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