RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
87
Autour de -112% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.2
3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
1704
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link